硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计,提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型X射线透射）,并提供10mm²至60mm²的传感器有源区域. 此外,所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。
硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到you化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能，以产生快速X射线图。
硅漂移探测器规格
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SDD探测器典型特征 传感器区域 窗口选项 分辨率eV（Mn K / C） 10mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤123-133 30mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 60mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 100mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤128-133 返回搜狐，查看更多